Glossaire des termes

Glossaire de la terminologie des capteurs de magnétique

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Sensibilité de détection (distance)

Au moment où le capteur magnétique est mis en marche lorsqu'un aimant standard s'approche perpendiculairement de la surface de détection, la distance entre l'aimant et la surface de détection à ce moment-là est appelée distance de détection; la densité du flux magnétique au point de référence (position de l'élément de détection magnétique) à ce moment-là est appelée sensibilité de détection.

Sensibilité de détection (distance)

Fréquence de réponse

"La fréquence est le nombre de fois où le magnétisme à détecter s'approche du capteur par unité de temps.
La fréquence en réponse est la fréquence maximale à laquelle le capteur peut réagir au mouvement de l'objet magnétique à détecter."

Densité de flux magnétique de surface

Quantité physique qui exprime l'intensité des forces magnétiques, représentée par la quantité de flux magnétique par unité de surface.
L'unité est le tesla T (ou gauss G).4G)
Cette valeur varie en fonction de la taille, de la forme et de la position de mesure de différents aimants, même s'ils présentent des caractéristiques identiques.

Mode d'opération

Nos capteurs magnétiques sont disponibles en deux modèles : un modèle normalement ouvert (NO), dont la sortie est activée (mise en marche) lorsque le magnétisme est détecté, et un modèle normalement fermé (NC), dont la sortie est désactivée (réinitialisée) lorsque le magnétisme est détecté.
Sélectionnez le modèle qui convient le mieux à l'utilisation que vous voulez en faire.

Sortie (collecteur ouvert)

Se réfère au collecteur du transistor de sortie (NPN ou PNP) de type ouvert, qui permet de commuter directement des courants équivalents ou inférieurs au courant nominal de la charge.
Veuillez noter que le transistor de sortie grillera si le capteur magnétique est mis en marche par court-circuit, sans connexion de charge.
En cas d'utilisation comme type de sortie en tension, pour la sortie à collecteur ouvert du transistor NPN, connectez une résistance de charge externe entre Vcc et OUT et utilisez la tension entre OUT et GND comme signal de commande.
Pour la sortie collecteur ouvert du transistor PNP, connectez une résistance de charge externe entre OUT et GND et utilisez la tension entre Vcc et OUT comme signal de commande.

Sortie (collecteur ouvert)

Sortie (drain ouvert)

Se réfère à un type de MOSFET de sortie à drain ouvert, qui permet de commuter directement des courants équivalents ou inférieurs au courant nominal de la charge.
Veuillez noter que le MOSFET de sortie grillera si le capteur magnétique est mis en marche par court-circuit, sans connexion de charge.
En cas d'utilisation comme type de sortie en tension, pour la sortie à drain ouvert du MOSFET à canal N, connectez une résistance de charge externe entre Vcc et OUT et utilisez la tension entre OUT et GND comme signal de commande.
Pour la sortie à drain ouvert du MOSFET à canal P, connectez une résistance de charge externe entre OUT et GND et utilisez la tension entre Vcc et OUT comme signal de commande.

Sortie (drain ouvert)

Type à 2 fils

Comme le montre la figure, le capteur est connecté en série avec la charge.

Type à 2 fils

 

 

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